近日，北京大学宽禁带实验室沈波教授携手团队，莅临研微半导体进行工作指导。
北京大学理学部副主任，宽禁带半导体研究中心主任沈波教授，带领的研究团队过去5年攻克了GaN基功率器件动态阈值稳定性难题，实现了高压桥式集成与低压CMOS集成，实现了万伏级GaN基高压器件。
在会谈中，沈教授指出，研微半导体在原子层沉积技术领域具备充足的技术积累和人才储备，此次，北大宽禁带实验室与研微半导体在三代半化合物高温退火项目上达成了深度合作，期待在未来北京大学与研微能够在更多科研定制设备项目上开展合作。
| 项目编号 | 项目名称 | 承担单位 | 联合攻关单位 | 主管部门 | 起始时间 |
| BG202412 | 面向集成电路复杂电互联结构的原子层沉积/刻蚀一体化设备研发 | 研微（江苏）半导体科技有限公司 | 东南大学无锡校区、无锡中微晶园电子有限公司 | 无锡市科学技术局 | 2024-2027 |
与此同时，研微半导体牵头东南大学及中电科58所中微晶园，共同开展面向集成电路复杂电互连结构的原子层沉积/刻蚀一体化设备研发项目，该项目是无锡市唯一获得2024年江苏省科学技术厅科技重大专项资金支持的项目。
研微凭借在科研设备领域的技术沉淀和积累，已与多家国内顶尖高校建立了稳固的合作关系，为精准对接高校科研开发与设备定制需求，研微借助产学研合作模式，汇聚高校、科研机构及企业各方优势，将持续在科研定制化设备领域深耕。