研微 Spritz Thermal ALD 基于喷淋头腔体架构，采用了双腔设计，搭配高产能的 Celeritas-8 传输和智能化的 Exsequi 软件平台，极大的提升了设备的产能和稳定性。此外 Spritz Thermal ALD 配备了先进的进气、混气以及匀流系统，可以极大的提升薄膜均匀性并降低颗粒的产生，多区温控系统能有效的降低喷淋头区域的颗粒的产生，原位清洗能有效提升腔体寿命并极大降低客户的使用成本。

Spritz Thermal ALD 可广泛用于 HKMG 金属层沉积、NAND WL、DRAM bWL和 SN 区域的薄膜填充。

研微 Fluxus Thermal ALD 基于层状流腔体架构，创新性的双腔设计，搭配高产能的 Celeritas-8 传输和智能化的 Exsequi 软件平台，极大的提升了设备的产能和稳定性。此外 Fluxus Thermal ALD 配备了多种先进的核心部件，极大的提升了腔体稳定性、薄膜均匀性、腔体寿命，如最先进的固体源传输系统有效的保证了反应源传输的稳定性，Wafer Indexing 系统能有效的帮助薄膜均匀性的提升。

Fluxus Thermal ALD 可被用于 Logic FEOL High-k/ Dipole、DRAM Peri High-k等薄膜沉积。

Auratus 系列等离子体增强原子层沉积镀膜系统，搭载于研微双反应平台 Celeritas-8，支持 8 片晶圆在独立反应腔内成膜，同时满足高产能和高膜质的需求。 Auratus 系列产品凭借极致的 ALD 小腔体，优化的流场、热场及 RF 回路设计，具有高稳定性、高腔体间匹配度、高稼动率、低前驱体消耗等优势，为集成电路和先进封装等客户提供高效稳定的量产解决方案。

Auroalis 系列等离子体增强化学气相沉积镀膜系统，搭载于研微双反应平台 Celeritas-8，支持 8 片晶圆在独立反应腔内成膜，同时满足高产能和高膜质的需求。Auroalis 系列产品通过优化的流场、热场及 RF 回路设计保证了工艺的高稳定性；陶瓷静电吸盘选项为解决晶圆翘曲问题提供了保障；腔室组件材料和表面处理流程的优化使得颗粒问题得到有效控制。Auroalis 为从平面架构到高深宽比 3D 结构的广大客户群提供用于多种器件类型和工艺节点的解决方案。

硅外延工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料，Perfectus-R 主要应用于异质外延层 (SiGe/Si 或是 SiP/Si) 生长。旨在逻辑芯片高端 CMOS 工艺上提高电子或是空穴的迁移率，进而提升器件性能。